This　study　investigated　the　effects　of　growth　rate　on　the　properties　of　monoclinic　beta-Ga2O3　films　grown　on　SrTiO3　(100)　substrates　by　Metal-organic　Chemical　Vapor　Deposition.　The　beta-Ga2O3　films　deposited　at　the　low　rate　exhibited　monocrystalline　structure,　for　which　the　structural　analyses　identified　the　epitaxial　relationship　of　beta-Ga2O3　(100)　//　SrTiO3　(100)　with　beta-Ga2O3　(001)　//　SrTiO3　(011).　In　the　case　of　the　same　film　thickness,　as　the　growth　rate　increased　from　2.1　to　10.1　nm.min(-1),　the　surface　root-mean-square　roughness　of　the　/%-Ga2O3　film　increased　from　6.96　to　8.41　nm,　and　the　crystalline　quality　decreased　obviously.　The　prepared　beta-Ga2O3　films　exhibited　a　band　gap　of　about　4.9　eV,　and　the　refractive　index　in　450-800　nm　wavelength　range　was　2.25-2.02.　Moreover,　the　transmittance　of　all　samples　in　the　visible　region　was　around　75%.