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本文通过有限元模拟基于硅通孔(Through-Silicon Vias,TSV)技术的晶圆退火过程,研究不同退火工艺对TSV界面可靠性的影响,在铜(Cu)种子层和二氧化硅(SiO2)种子层预置一个L型裂纹,通过ABAQUS计算不同退火工艺下TSV裂纹尖端的应力、能量释放率以及焊点处的最大应力,研究不同退火工艺后TSV界面的可靠性,结果表明,随着退火温度的升高,裂纹尖端应力不断下降,焊点处最大应力逐渐降低,水平方向裂纹能量释放率降低明显。
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Year： 2022
Language： Chinese
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