Abstract：
基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理，分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒，优化DBR的各层掺杂浓度，通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒，从而有效降低DBR串联电阻。实验采用Al_(0.22)Ga_(0.78)As/Al_(0.9)Ga_(0.1)As作为生长DBR的两种材料，设计了DBR各层厚度，研究了AlGaAs材料的最佳生长温度，利用MOCVD外延技术完成了795 nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长。经过工艺制备，测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后...
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体光电
Year： 2022
Issue： 02
Volume： 43
Page： 332-336
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 15
Affiliated Colleges：
