β相氧化镓较碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料具有更加出色的材料特性，如更宽的禁带宽度(～4.9　eV)、更高的击穿场强(～8　MV/cm)、更大的巴利加优值(3　400)和更低的衬底生长成本等，在大功率电子器件和日盲探测器等方面展现出巨大的应用前景。外延生长高质量的氧化镓薄膜是制备高性能器件的前提与基础。目前，虽然在高质量氧化镓单晶生长和器件研究等方面已取得了显著进展，但是仍存在较多问题，如异质外延晶体质量的提高、p型掺杂的实现、器件性能优化等。本文总结了近年来国内外研究者在氧化镓薄膜的生长技术、同质/异质外延、半导体掺杂、电学性质、接触特性及其在功率器件和紫外光电探测器应用等方面的研究进展。