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程海娟 (程海娟.) | 郭伟玲 (郭伟玲.) | 马琦璟 (马琦璟.) | 郭浩 (郭浩.) | 秦亚龙 (秦亚龙.)

Abstract:

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点.GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛的应用前景.综述了GaN基SBD的工作原理,目前面临的主要问题,以及器件设计和结构优化的研究进展,包括横向结构(AlGaN/GaN异质结)SBD的外延、肖特基阳极和终端结构的优化;展示了垂直SBD及准垂直SBD的研究进展;最后,对GaN基SBD的进一步发展进行了总结和展望.

Keyword:

准垂直器件 肖特基势垒二极管(SBD) 垂直器件 结构优化 氮化镓(GaN)

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  • [ 1 ] [程海娟]北京工业大学
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Source :

半导体技术

ISSN: 1003-353X

Year: 2022

Issue: 7

Volume: 47

Page: 505-512

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