自旋转移矩辅助电压调控磁各向异性磁隧道结(STT辅助VCMA-MTJ)作为非易失性全加器(NV-FA)中的核心部件,具有切换速度快、功耗低,稳定性好等优点,将在物联网、人工智能等领域具有良好的发展前景.然而随着磁隧道结(MTJ)尺寸的不断缩小以及芯片集成度的不断提高,工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响将变得越来越显著.本文基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学,在充分考虑薄膜生长工艺偏差以及刻蚀工艺偏差影响的情况下,建立了更为精确的STT辅助VCMA-MTJ电学模型,研究了上述两种工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响.结果表明,当自由层厚度偏差γtf≥6％或氧化层厚度偏差γtox≥0.7％时,MTJ将无法实现状态切换;当隧穿磁阻率偏差β增大到30％时,读取裕度SM将下降高达17.6％.对于NV-FA电路,通过增大电压Vb1以及写＇0＇时增大电压Vb2或写＇1＇时减小Vb2,可有效降低非易失性加数写入错误率;通过增大逻辑运算驱动电压Vdd,可有效降低逻辑运算结果输出错误率.