在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high　electron　mobility　transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN　HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器.实验中首先通过水热法将ZnO纳米线成功制备到Si衬底材料及AlGaN/GaN　HEMT衬底材料上,并利用X射线衍射(X-ray　diffraction,XRD)仪、扫描电子显微镜(scanning　electron　microscope,SEM)、光致发光(photo　luminescence,PL)光谱仪等仪器进行了一系列测试.结果表明,生长在AlGaN/GaN　HEMT衬底材料上的ZnO纳米线具有更低的缺陷密度、更好的结晶度和更优异的光电特性.然后,将ZnO纳米线成功集成到AlGaN/GaN　HEMT器件的栅极上,制备出具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN　HEMT紫外光电探测器.将实验中制备出的具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN　HEMT器件与常规的AlGaN/GaN　HEMT器件进行对比,发现具有ZnO纳米线的器件在紫外波段能达到1.15×104　A/W的峰值响应度,相比常规结构的AlGaN/GaN　HEMT,峰值响应度提升约2.85倍,并且制备的ZnO纳米线器件的响应时间和恢复时间缩短为τr=10　ms和τf=250　ms,提高了探测器的性能.