Abstract：
使用分子动力学的方法研究了温度对含孔洞缺陷的铁单质薄膜磁致伸缩性能的影响,模拟了250 K,300 K, 350 K温度下缺陷为6ax6a个晶格单位的铁单质薄膜模型的磁致伸缩。结果表明:温度会影响含缺陷的铁单质薄膜的初始构型;在弱磁场下,温度对模型的磁化构型有影响;强磁场中不同温度下模型的磁化构型基本一致,温度对模型的磁化构型影响不大。
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Year： 2023
Language： Chinese
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