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本发明提供了一种CIS芯片的扇出型封装制作方法，该方法利用玻璃基体的透光特性，将CIS芯片倒置嵌入到带槽的玻璃基体中，对CIS芯片的正面和侧面进行包封，然后通过TSV工艺将导电结构引到包封侧壁玻璃基体上，实现扇出封装。本发明先将CIS芯片倒置嵌入玻璃基板上再进行面板级封装，增加了封装的可操作性，封装工艺过程简单，可靠性高。面板级封装的过程结合了晶圆级封装金属布线线宽，线间距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量和效率，大大降低了封装成本。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202010472471.8
Filing Date： 2020-05-29
Publication Date： 2023-09-01
Pub. No.： CN111627947B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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