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本发明涉及电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器的制备方法，利用真空抽滤法制备MXene薄膜。利用激光直写法制备MXene超表面。利用磁控溅射技术制备二氧化钒薄膜。将上述制备的石英基底上的二氧化钒薄膜完全浸泡于缓冲氧化物刻蚀液(BOE)利用上述制备的MXene超表面从水中打捞自支撑二氧化钒薄膜，使得二氧化钒薄膜悬空于MXene超表面上，然后将VO2/MXene复合超表面静置1小时等待二者贴合晾干，得到VO2/MXene复合超表面。MXene超表面具有高柔性、易于制备的优点。VO2/MXene太赫兹调制器具有可主动调控太赫兹波、高调制深度、低触发功率的优点。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202211550010.3
Filing Date： 2022-12-05
Publication Date： 2023-08-08
Pub. No.： CN116560112A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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