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一种基于SLM成形磁屏蔽结构材料的制造方法，属于激光增材制造技术领域。该结构包括：装配结构、轻量化层、磁屏蔽层。使用的合金粉末元素成分Mo：1.8～9.48wt％，V：0.05～2.9wt％，Nb : 0.12～7.71％，Al : 0.7～2.48wt％，Ti : 1.02～3.44％, Cu：0.1～3.8wt％，Co：0.02～3.2wt％，Cr：0.02～4.4wt％，B：0.01～8.45wt％，Si : 0.08～8.12％，Fe：3.74～19.88wt％，余量为Ni。通过点阵填充方式减少打印原材料的耗费，减轻磁屏蔽结构体的重量，提高其制造效率；通过控制工艺条件获得高磁导率的软磁合金从而提高磁屏蔽结构的屏蔽效能。本发明最终获得成形精度高，重量轻，屏蔽性能优异的磁屏蔽结构。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202210400651.4
Filing Date： 2022-04-17
Publication Date： 2023-08-01
Pub. No.： CN114939672B
Applicants： 北京工业大学;;钢铁研究总院有限公司
Legal Status： 授权
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