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一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法，属于太阳电池领域。通过用激光的方式在沉积了氮化硅的衬底上形成栅线图案，经过碱洗工艺后去除损失层后，再沉积钝化层与背场层可以有效避免激光造成的钝化层损伤问题，避免了正面非晶硅层与TCO的寄生吸收。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202310531961.4
Filing Date： 2023-05-11
Publication Date： 2023-08-01
Pub. No.： CN116525692A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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