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一种基于共振腔发光二极管的微图形光源芯片，属于半导体光电子领域。通过微加工工艺将微图形光源直接制作在共振腔发光二极管芯片表面，并且构成微图形光源图案的线条范围在5到30微米之间。包括上电极、介质隔离层、上布拉格反射镜、谐振腔、下布拉格反射镜、衬底、下电极, 位于谐振腔上方的侧向氧化层，谐振腔中含有光辐射有源区。上、下布拉格反射镜由厚度各为1/4出射光波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成。本发明将微图形光源通过微加工工艺直接制作在共振腔发光二极管芯片表面，光源体积小；利用侧向氧化限制载流子运动，减少了载流子在隔壁的非辐射复合；由于本发明采用了共振腔结构，可以实现辐射波长稳定的发光二极管。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202110998901.4
Filing Date： 2021-08-28
Publication Date： 2023-07-14
Pub. No.： CN113937195B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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