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一种基于铌酸锂薄膜的集成光频梳芯片结构及制备方法,涉及集成光学和微波光子领域。本发明结构自下而上由LN衬底、SiO2缓冲层和铌酸锂薄膜波导层三部分组成,其中波导层包括输入输出波导、马赫‑曾德尔强度调制器和相位调制器的波导结构。当外部半导体激光器发射的激光进入强度调制器时,调节射频信号电压和直流偏置电压产生频梳光源,再利用相位调制器来对光频梳进行光谱展宽。同时针对制备工艺中直接刻蚀的波导结构损耗过大问题,本发明提出一种电子束曝光结合化学机械抛光工艺降低侧壁粗糙度的方法,使整个结构更为紧凑、高效,更有利于实现大规模光电器件集成。
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Patent Info :
Type: 发明申请
Patent No.: CN202310212629.1
Filing Date: 2023-03-07
Publication Date: 2023-06-27
Pub. No.: CN116339036A
Applicants: 北京工业大学
Legal Status: 实质审查
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