Indexed by：
Abstract：
本发明涉及一种碳化硅MOS的单粒子加固器件结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明在双沟道MOS(DT‑MOS)器件基础上，提出了一种倒锤型的槽栅结构及其实现方法，可以抑制寄生NPN晶体管的闩锁效应，提高碳化硅MOSFET的单粒子烧毁阈值电压，有效解决现有碳化硅MOSFET技术的抗单粒子烧毁能力低的技术难题，还可提升器件短路能力和雪崩能力。本发明可应用于工作在航天器、核电站等高能带电粒子环境下的器件的设计和制造，有效提升设备系统的可靠性和安全性。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201911401912.9
Filing Date： 2019-12-30
Publication Date： 2023-04-21
Pub. No.： CN111129119B
Applicants： 北京工业大学;;深圳吉华微特电子有限公司
Legal Status： 未缴年费 ; 权利转移
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 3
Affiliated Colleges：
