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本发明公开了一种外腔VCSEL激光阵列互注入动力学建模仿真方法，包括：设定具有多高阶横模的外腔VCSEL激光阵列的结构参数以及驱动外腔VCSEL激光阵列正常运转的工作条件；基于L‑K速率方程模型建立外腔VCSEL激光阵列互注入的动力学模型，构建载流子密度、光子密度以及相位与空间和时间相关的偏微分方程组；对偏微分方程组进行约化处理，使偏微分方程组转化为只有时间变量的常微分方程组；对常微分方程组进行离散化处理，并使用有限差分法计算数值解；输出载流子密度、光子密度、相位以及波长随时间的变化图像。本发明可分析具有多高阶横模输出的VCSEL阵列外腔互注入的动力学过程，并寻找可实现相干锁相的条件。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202211680445.X
Filing Date： 2022-12-26
Publication Date： 2023-03-28
Pub. No.： CN115859680A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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