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本发明公开了一种半导体激光器光束质量因子的测量方法及装置，包括：对半导体激光器出射的光束进行两次聚焦，两次聚焦后形成两个光束束腰，通过光强探测器对两个光束束腰的光强分布进行测量，根据测量到的所有光强分布构建wigner分布函数，再根据wigner分布函数的性质代入光束质量因子的公式中计算半导体激光的光束质量因子M2。本发明将半导体激光器的相干性考虑其中，可全面准确的描述半导体激光器的光束质量，有利于半导体激光器的设计及其光束质量的提高。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202110286346.2
Filing Date： 2021-03-17
Publication Date： 2023-03-10
Pub. No.： CN113063565B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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