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一种对三联苯有机闪烁单晶体的制备方法，属于有机闪烁晶体领域。其合成步骤为，首先称取一定量纯度99％的对三联苯粉末放入准备好的单层安瓿中，迅速抽真空至10‑4Pa。在真空度达到生长要求后，使用氧炔焰法来对安瓿进行焊封，在焊封之前采用浸冷水的湿布包裹住下部。封装好，高温区温度不超过220℃，低温区最低温度设定为180℃，调制好生长炉温度梯度达到4～6℃/cm，将安瓿置于生长炉高温区位置，待原料全部熔化后，下降速度为0.5mm/h进行晶体生长，其晶体中杂质含量低，结晶质量好，性能稳定，具有良好的荧光性能。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202210479060.0
Filing Date： 2022-05-05
Publication Date： 2022-08-30
Pub. No.： CN114959872A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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