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本发明针对由于器件损耗引起的磁通门激励电压衰减情况，提出了一种双全桥反馈型电压补偿系统，包括实时反馈计算和双全桥电路两部分，其中反馈实时计算根据采集的激励线圈电压作为反馈值，主控芯片计算与激励线圈电压与系统设定电压差值作为误差，通过PI算法计算下一周期每个场效应管导通时间；双全桥电路接收反馈计算的场效应管导通时间控制量，场效应管在不同阶段导通与关断控制激励线圈两端电压，将激励电压补偿至系统设定电压。本发明具有响应快、补偿准、可靠性高、无累积误差的特点，能够将磁通门激励电压快速补偿至系统设定电压，极大提高了磁通门的测量分辨率。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202010846040.3
Filing Date： 2020-08-20
Publication Date： 2022-06-14
Pub. No.： CN111987929B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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