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一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器涉及紫外光探测技术领域。本发明采用传统型高电子迁移率晶体管(HEMT)与纳米型结构半导体材料ZnO结合制备对紫外光敏感的光电探测器件。选取p‑GaN层覆盖的耗尽型AlGaN/GaN外延片，同时对源漏电极区域进行整体下刻蚀，使得器件在未人为外加电压时处于关断状态。在器件栅电极上，以正面朝下反向水热生长的方式得到尽量朝外生长的ZnO纳米线结构，注意控制调整水热生长时间及温度以得到生长形貌较好、排列均匀的纳米线，纳米线生长状态将直接影响其对紫外光的感应能力。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202210183042.8
Filing Date： 2022-02-27
Publication Date： 2022-06-07
Pub. No.： CN114597282A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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