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本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910681433.0
Filing Date： 2019-07-26
Publication Date： 2022-04-22
Pub. No.： CN110412447B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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