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Abstract：
本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。本发明的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件通过设置沟道二极管多晶硅栅，显著提高了反向恢复特性且降低了栅电荷特性，提升了开关特性同时使得功率损耗大大降低。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN202110509714.5
Filing Date： 2021-05-11
Publication Date： 2021-12-24
Pub. No.： CN113224149B
Applicants： 北京工业大学;;深圳吉华微特电子有限公司
Legal Status： 授权
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