Indexed by：
Abstract：
本发明公开了一种基于NCFET的差动放大器电路，包括：M1、M2、M3、M4构成的差动对，负责控制放大器的增益。其中的M1、M2、M3和M4均为N型NCFET，负责接收差模输入电压。M5、M6均为P型MOSFET，用于增大差动放大器的差动增益。M7为N型NCFET，为差动放大器提供偏置电流。NCFET铁电薄膜的电容为CNC，效果等效于降低了寄生电容，同时减少了寄生电容的充电时间。使用此NCFET可以在电源电压VDD降低到0.3V时正常工作，大大提高了差动放大器在低电压下的工作频率。经过本发明中的差动放大器后，神经网络的输出信号会被放大，更好地控制神经网络中的反馈通路。其中噪声部分会被滤掉，不会影响反馈通路的正常工作。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明申请
Patent No.： CN202110999663.9
Filing Date： 2021-08-29
Publication Date： 2021-12-21
Pub. No.： CN113824413A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 3
Affiliated Colleges：
