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本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910879324.X
Filing Date： 2019-09-18
Publication Date： 2021-09-17
Pub. No.： CN110611017B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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