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本发明公开了一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法，由IGBT功率芯片，二极管芯片，上DBC基板，下DBC基板，中间转接板，介电填充层，焊料层，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过焊料层将IGBT功率芯片及二极管芯片和下DBC基板连接。同时在中间转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将IGBT功率芯片和二极管芯片嵌入在中间转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，中间转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出，得到嵌入式双面互连功率模块。该发明可以实现IGBT功率模块的双面散热，提高了散热效率。而且不使用键合线，减小了模块的寄生电感。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201911090622.7
Filing Date： 2019-11-09
Publication Date： 2021-04-16
Pub. No.： CN110854103B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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