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一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是：玻璃作为器件的衬底；垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层；氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层；垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性，使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段，本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子，抑制缺陷影响，提升器件的输出光电流。另外，该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度，在较低的偏压下就可以进行工作，工艺制备简单可重复，有效提高探测器的探测效率和成品率。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910372272.7
Filing Date： 2019-05-06
Publication Date： 2021-03-23
Pub. No.： CN110335900B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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