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本发明公开了一种避免泵浦光漂白被动调Q晶体的微片激光器，包括泵浦源、泵浦耦合系统、增益介质、抑制ASE晶体、被动调Q晶体、泵浦光和激光分离结构。在微片激光器一侧切45°角结构，泵浦光和激光通过此面的膜被分离开，避免了泵浦光对被动调Q晶体的漂白。通过热键和技术，各晶体有效牢固地结合，可提高激光器的稳定性，利于实现微片激光器的小型化。且键合后的晶体结合界面稳定，有利于晶体散热。本发明广泛应用于其他测距用的固体激光器中，易于实现小型化、大能量、窄脉宽的目标，易于实现工程应用。本发明完全避免泵浦光进入可饱和吸收调Q晶体中，从而避免了泵浦漂白问题，提高振荡激光输出的单脉冲能量，减小脉冲宽度。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202010541050.6
Filing Date： 2020-06-15
Publication Date： 2020-10-13
Pub. No.： CN111769434A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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