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本发明公开了一种宽光谱高吸收太阳能电池，该太阳能电池是半导体光伏器件，包括：特定本征吸收层厚度；本征吸收层厚度由光子晶体的陷光效率决定；器件由下往上依次设有衬底层、绝缘掩埋层、顶层吸收层(如Si层)、抗反射薄膜层；器件的顶层吸收区两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，p型掺杂区上形成p电极，n型掺杂区上形成n电极；p型掺杂区与n型掺杂区之间为本征吸收层；本征吸收层的表面制作周期性空气孔形成光子晶体；周期性空气孔的具体的周期，刻蚀深度，根据需要、入射光波长范围和理论计算得出；周期性空气孔可制成圆柱形孔或圆锥形孔；周期性空气孔内填充另一种半导体材料(如Ge)。本发明的太阳能电池具有宽吸收光谱、高吸收效率、高集成度和多功能等优点，适用波长范围为紫外、可见光、近红外波段。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202010524421.X
Filing Date： 2020-06-10
Publication Date： 2020-09-08
Pub. No.： CN111640813A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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