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本发明涉及极间厚缓冲层调制器芯片结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了实现更低的调制器件功耗，需要得到较低调制半波电压，本发明在调制器芯片行波电极间的缓冲层处进行了加厚处理，能有效增大电光重叠积分，降低器件半波电压。为铌酸锂强度调制器的功耗降低提供了有效方法。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201910570780.6
Filing Date： 2019-06-28
Publication Date： 2019-09-24
Pub. No.： CN110275328A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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