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利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。本发明采用Au纳米颗粒作为Ga2O3薄膜的负载材料来增强Ga2O3材料的催化降解效率。采用直流磁控溅射法在Ga2O3薄膜上沉积一层Au膜，并通过退火的方式使Au薄膜变成Au纳米颗粒形态。本发明利用Au纳米颗粒的等离激元作用来提高Ga2O3材料降解有机污染物的降解效率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201910051991.9
Filing Date： 2019-01-21
Publication Date： 2019-04-19
Pub. No.： CN109647389A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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