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本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比，利于将激光耦合到光纤中，提高激光合束后的输出功率，拓展了大功率半导体激光器的应用范围。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201810340718.3
Filing Date： 2018-04-17
Publication Date： 2018-09-07
Pub. No.： CN108512032A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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