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一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201510524770.0
Filing Date： 2015-08-24
Publication Date： 2018-02-09
Pub. No.： CN105158666B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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