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一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5‑30nm，高度为1.5‑5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单壁碳纳米管阵列的顶层完成3C‑SiC纳米盘的制备，3C‑SiC纳米盘的分离。工艺简化，样品均匀，高结晶质量。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410594553.4
Filing Date： 2014-10-29
Publication Date： 2017-07-14
Pub. No.： CN104593746B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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