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一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201510051759.7
Filing Date： 2015-02-01
Publication Date： 2017-07-14
Pub. No.： CN104660185B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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