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本发明公开了一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器，属于激光器制备技术领域。该激光器为一种利用具有DBR结构的垂直腔面发射激光器的外延结构从下向上的顺序依次包括衬底、N型掺杂层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、光刻胶、Al2O3薄膜层、P型DBR层、P型掺杂GaAs层。本发明中利用侧向外延技术将氧化后应力变得很脆弱的高Al组分AlGaAs外延层换成Al2O3薄膜层，使得此Al2O3层及其上的外延层中变得坚固，不会随着很小的震动或者外力就破裂，从而导致器件失效，另外不会产生As及As2O3等剧毒物质，有利于环境保护。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201611253764.7
Filing Date： 2016-12-30
Publication Date： 2017-05-31
Pub. No.： CN106785908A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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