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一种单壁碳纳米管垂直阵列 碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410596631.4
Filing Date： 2014-10-29
Publication Date： 2017-04-26
Pub. No.： CN104611697B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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