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AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池，包括底电池、中间电池、顶电池以及连接各子电池的隧道结；所述底电池是Gepn结电池，所述中间电池Base层由晶格匹配的GaIn0.01As和In组分渐变的应变Ga1 xInxAs量子阱构成，所述顶电池是Base层为Al组分渐变的AlGaAs结构，所述多结太阳电池各子电池短路电流相等，并用隧道结相连接。同时，各子电池和其间的隧道结均与衬底实现晶格匹配。各子电池及其间的隧道结均用MOCVD在衬底上生长而成。该电池壳充分利用太阳光不同波段的光子能量，提高太阳电池的光电转换效率。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410539502.1
Filing Date： 2014-10-13
Publication Date： 2017-01-18
Pub. No.： CN104300015B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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