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一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法，属于纳米管阵列薄膜技术领域。本发明采用方波阳极氧化技术在金属钛基体表面原位合成高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜。获得的二氧化钛纳米管阵列薄膜是具有高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜。将其在300-600℃进行热处理保温1-6h后可获得锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。由此方法获得的二氧化钛纳米管阵列薄膜不仅在染料敏化太阳能电池、光催化、气敏传感器等领域具有广阔的应用前景，而且还可作为良好的模板进行制备二氧化钛纳米管阵列复合薄膜。所制备的二氧化钛纳米管阵列薄膜具有高度有序的排列结构。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410143733.0
Filing Date： 2014-04-10
Publication Date： 2016-08-24
Pub. No.： CN103924279B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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