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Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料属于微电子领域。本发明通过对Ge-Sb-Te或Sb-Te相变材料掺杂Gd元素，提出一种提高Ge-Sb-Te和Sb-Te相变性能的技术和薄膜制备方法，其化学结构式为Gd100-x-y-z(GexSbyTez)，其中0≤x，80< x+y+z< 100。Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储薄膜材料的优点在于通过掺杂非常少的Gd元素即可获得优异的性能，具有更高的热稳定性和晶态电阻，非晶态与晶态之间电阻差异明显，有望获得更好的数据保持能力。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201510959334.6
Filing Date： 2015-12-20
Publication Date： 2016-03-23
Pub. No.： CN105428531A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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