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一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法，属于纳米机电系统制备领域。在绝缘衬底上生长一层支撑体，然后图案化处理，生长一层金属催化剂层，进行图案化处理，形成支撑体‐金属催化剂‐支撑体阵列结构；支撑体和金属催化剂层的上表面和侧面用CVD法同时生长二维材料；二维材料的上表面和侧面旋涂一层聚合物，掩盖支撑体、金属催化剂层和二维材料；刻蚀聚合物直至刻蚀到支撑体和金属催化剂层的上表面出现，并将暴露出的附着在上表面的二维材料也刻蚀掉；将金属催化剂在溶液中腐蚀掉，并把聚合物溶解，释放出悬浮的垂直二维材料；干燥。本发明实现了可控地制备垂直二维材料，令使用二维材料制备3D结构的纳米机电系统成为可能。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410262404.8
Filing Date： 2014-06-13
Publication Date： 2016-03-02
Pub. No.： CN104030235B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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