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一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201310193772.7
Filing Date： 2013-05-23
Publication Date： 2015-12-09
Pub. No.： CN103280490B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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