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一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，使用电子束蒸发设备制备Ti/Al/Ni/Au源漏金属形成欧姆接触，使用化学收缩法制备T型栅，在纯氮环境下，进行850℃持续1分钟的热退火处理；使用ICP设备对GaN晶圆表面进行N2等离子体处理；使用PECVD设备生长SiN钝化层。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201510107069.9
Filing Date： 2015-03-11
Publication Date： 2015-07-01
Pub. No.： CN104752201A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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