Indexed by：
Abstract：
本发明提供一种基于切断反馈技术的存储单元电路，包括：两个反相器INV0和INV1，四个NMOS管M0、M1、M2、M4，一个PMOS管M3；NMOS管M0的栅极接WL信号，源极接BL信号，漏极接点P；NMOS管M1的栅极接点Q，源极接VVSS信号，漏极接点P；NMOS管M2的栅极接WWL信号，源极接点P，漏极接点Q；PMOS管M3的栅极接WWL信号，源极接点Q，漏极接点Q0；NMOS管M4的栅极接WWLb信号，源极接点Q0，漏极接点Q；反相器INV0的输入接点Q，输出接点Qb；反相器INV1的输入接点Qb，输出接点Q0。该电路具有保持能力强、读能力强、写能力强、减少漏电流和良好的抗工艺浮动，较低工作电压的性能。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明申请
Patent No.： CN201410643493.0
Filing Date： 2014-11-13
Publication Date： 2015-03-11
Pub. No.： CN104409092A
Applicants： 无锡星融恒通科技有限公司;;北京工业大学
Legal Status： 放弃-视为放弃 ; 一案双申
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 3
Affiliated Colleges：
