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一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与金属反光层及金属扩散阻挡层之间设置有图形欧姆接触层、非金属层和元素扩散阻挡层；上电极的正下方对应的图形欧姆接触层的图形中存在一个空位，并且空位处填充有非金属层；即图形欧姆接触层、非金属层在同一层同样厚度上；在图形欧姆接触层和金属反光层及金属扩散阻挡层之间设有阻挡大量金属元素向外延层扩散的元素扩散阻挡层。本发明使器件电流分布均匀化，有效的降低了器件电压，并提高了器件的光功率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201010279243.5
Filing Date： 2010-09-10
Publication Date： 2011-03-30
Pub. No.： CN101997070A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 撤回-视为撤回
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