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Abstract：
钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料 制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化 锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层 (2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n 结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术 利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获 得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应 用潜能。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200710099092.3
Filing Date： 2007-05-11
Publication Date： 2009-03-11
Pub. No.： CN100468781C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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