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本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管(IGBT)，它是一种功率半导体开关器件，它是在现有PT-IGBT结构中的P+型衬底与N型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于P+衬底的P型内透明集电区并且在内透明集电区中或/和附近有具有很低过剩载流子寿命的载流子寿命控制区。本发明的具有内透明集电区的IGBT具有通态电压正温度系数，利于并联使用和具有良好的热稳定性；同时在制造过程中又因具有PT-IGBT的较厚的硅片而利于用现行的PT-IGBT工艺进行制造，具有高的生产成品率。本发明为击穿电压1200V以内的常用IGBT提供了一种易于制造又具有电压正温度系数的良好性能的IGBT结构。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200710063086.2
Filing Date： 2007-01-26
Publication Date： 2009-02-04
Pub. No.： CN100459151C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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