Indexed by：
Abstract：
本发明涉及一种二极管激光阵列外腔锁相幅度补偿元件及其制备方法，属于半导体激光器的锁相技术领域。本发明是根据二极管激光阵列外腔锁相时在1/4或1/2Talbot平面上同相模的分布进行设计，设计的幅度补偿元件为具有周期性狭缝的物体，狭缝的数目大于或者等于该平面上同相模的数目，狭缝的宽度与该平面上同相模的半高宽度相同，狭缝的周期与该平面上同相模分布的周期相同。本发明用于在大电流(I＞20A)的情况下，大功率的二极管激光阵列在外腔锁相中选择同相模、增强同相模的输出功率。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN200610081229.8
Filing Date： 2006-05-26
Publication Date： 2008-12-03
Pub. No.： CN100440653C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 7
Affiliated Colleges：
