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本实用新型涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管LED。本实用新型是在常规LED的GaP层(2)上表面没有P型电极(11)的表层刻蚀出纳米级的凹凸结构层面；也可以在凹凸结构层面和P型电极(11)的上表面上再覆盖一层铟锡氧化物ITO导电膜(10)，再在覆盖有铟锡氧化物ITO导电膜(10)的P型电极上制备同结构P型电极(11)。本实用新型具有减少光反射，提高器件性能，可以用于各种半导体发光二极管等特点。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN200720190195.6
Filing Date： 2007-11-16
Publication Date： 2008-09-17
Pub. No.： CN201117681Y
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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