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高抗静电高效发光二极管及制作方法，属于半导体光电子技术领域。它包含利用一导电型半导体材料制作的基板及发光二极管芯片，基板上制作有集成的双向稳压二极管，发光二极管芯片主要包含在一透明蓝宝石衬底及在此衬底上的GaN结构层和整面P电极、N电极，将发光二极管芯片倒装在该基板上。发光二极管有源区发出的光从背面蓝宝石端取出，增加了取光面积，可以提高发光二极管的发光效率1.5—2倍。由于基板上集成了抗静电保护双向稳压二极管，有效增强了发光二极管抗静电放电能力，又发光二极管直接通过电极与特殊制作的基板接触，增大了接触面积，改善了蓝宝石散热不佳的特性，可实现大功率输出，降低成本，提高器件可靠性等作用。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN200410062248.7
Filing Date： 2004-07-02
Publication Date： 2008-05-07
Pub. No.： CN100386891C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费 ; 权利转移
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