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硅高速半导体开关器件的制造方法，用于至少含有一个pn结的硅半导体开关器件的制造，如快恢复二极管，晶闸管，栅极可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)和双极开关晶体管。方法步骤为：以常规方法制造所说的开关器件前部各制造步骤直至开始制造金属化电极，在硅片表面制造铂硅合金，用质子或α粒子注入形成局域高密度缺陷区，加温退火使缺陷区吸取铂转化为铂杂质区，然后继续按常规方法进行金属化电极制造和后部制造步骤，直至完成制造。本发明所制造器件中作为控制寿命的复合中心是高度集中于局部区域的硅中铂杂质，性能优于现有的寿命控制技术；开关器件可以具有更高的开关速度和更大的反向恢复软度而又不明显增加正向压降和反向漏电流。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN03145029.6
Filing Date： 2003-06-18
Publication Date： 2006-05-31
Pub. No.： CN1258210C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费 ; 许可
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